ハタ　マサユキ   HATA Masayuki   畑　晶之    所属   松山大学  薬学部 医療薬学科    職種   准教授
発行・発表の年月	2001/01
形態種別	学術論文
標題	Migration of Si adatom on strained Si(111) surfaces.
執筆形態	共著
掲載誌名	Surf. Sci.
巻・号・頁	481,205-214頁
著者・共著者	T. Hoshino, M. Hata and M. Tsuda
概要	シリコン(111)表面上でのシリコン原子の拡散機構における最低エネルギー経路とその活性化エネルギーを評価するため、量子化学計算を行った。シリコン原子の拡散に要する活性化エネルギーはひずみがない表面では0.8eVであった。また、シリコン表面がひずんだ状態における活性化エネルギーの変化を評価するため量子化学計算を行ったところ、圧縮状態では活性化エネルギーが増加したが、伸張状態では低下したことがわかった。しかしその変化は0.1eV以下であり、非常に小さい値であった。