| オクヤマ サトシ
            OKUYAMA Satoshi 奥山 聡 所属 松山大学 薬学部 医療薬学科 職種 教授 | |
| 言語種別 | 日本語 | 
| 発行・発表の年月 | 2021/06 | 
| 形態種別 | 学術論文 | 
| 査読 | 査読有り | 
| 標題 | 記憶障害とメタローム解析:脳神経系における金属イオン欠乏は認知症の一因となるか? | 
| 執筆形態 | 共著 | 
| 掲載誌名 | 薬学雑誌 | 
| 掲載区分 | 国内 | 
| 巻・号・頁 | 141(6),835-842頁 | 
| 著者・共著者 | Mark J. Hackett, Ashley L. Hollings, Virginie Lam, 武智 隆祐, John C. L. Mamo, Martin D. de Jonge, David Paterson, 奥山 聡 |